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RS1E200GNTB  与  BSC883N03LS G  区别

型号 RS1E200GNTB BSC883N03LS G
唯样编号 A-RS1E200GNTB A-BSC883N03LS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ 3.8mΩ
上升时间 7.2ns 4.4ns
漏源极电压Vds 30V 34V
Pd-功率耗散(Max) 3W 2.5W
Qg-栅极电荷 16.8nC -
栅极电压Vgs 2.5V 20V
典型关闭延迟时间 34.7ns 26ns
正向跨导 - 最小值 18S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP-8 -
连续漏极电流Id 20A 98A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single SingleQuadDrainTripleSource
系列 - BSC883N03
长度 - 5.9mm
下降时间 8.4ns 4ns
典型接通延迟时间 13.2ns 6.4ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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